SPL_PL90_3型半导体激光器驱动电源检测实验

激光器驱动实验参考仿真结果与激光器的参数设计驱动电路原理图如图10，根据此原理图设计PCB进行实验，对上述理论分析和仿真结果加以验证．实验时以图10中的开关元件MOSFET和电感Inductor参 数 作 为 变 量，采 用 基 于STM32F407型MCU和OV2640型摄像头的嵌入式图像采集系统辅以905 nm窄带滤光镜片在100 m外进行数字图像的采集，在不同的实验条件下驱动SPL－PL90－3型半导体激光器，采集得到一系列原始图像，如图11． 在所采集的数字图像中以激光斑点的灰度作为评价指标，上述各图像对应的实验条件和图像参数如表3． 表3结果表明，随着MOSFET反应时间的延长和放电回路电感的增大，在图像中所提取的特征点的灰度有所减小，当采用IＲF740和0的组合时，光斑灰度最大，且与背景间存在明显的灰度差异，有利于实现特征的提取与定位．

激光器温度监测结果文中选 用TEC1 － 01710型半导体制冷器对SPL_PL90_3型激光器的工作温度进行控制，该制冷器的最大制冷功率高达11. 5 W，被广泛地应用于激光领域．在上述激光驱动实验过程中选取任意时间段对激光器温度进行监测，结果如图12． 温度监测结果表明，所设计的激光温度补偿电路可将半导体激光器的工作温度稳定在24. 4 ～25. 6 °C的范围之内，基本满足SPL_PL90_3型激光器的工作温度要求．

结论
通过对脉冲激光驱动模型进行理论计算与仿真分析，为SPL－PL90－3型半导体激光器设计驱动电路，经实验验证该驱动电路满足SPL－PL90－3型半导体激光器的驱动要求，得出以下结论:
(1)脉冲激光的驱动电路实际上是一种开关电源，该开关电源的性能易受电路的阻尼系数和开关器件性能的影响．
(2)放电回路寄生电感的增大导致电路的阻尼系减小，不利于贮能网络中的能量有效地释放到激光器件中．
(3)利用贮能网络驱动激光器件时，开关器件的开启上升沿过长，导致储能元件产生能量泄漏，削减了激光器件在正常驱动条件下的峰值功率．