尽管众多电源设计师一直在辛勤工作，仍然存在许多尚需改进的技术问题。好在器件制作技术方面已经取得了重大发展，它有助于我们实现目标。例如，降低电阻损耗以使电源适于高频工作的需要促进了全新一代高频、低ESR瓷质电容及其他专用电容的产生。也出现了很低正向导通压降、超快恢复速度的二极管，出现了更高开关速度管MOSFET，还出现了几种用于变压器和电感的新型低损耗铁氧体材料。
注意：恢复是指二极管两端电压反向时，从导通状态快速转换为关断状态的能力。具有这种能力的二极管称快恢复二极管。由于正向导通压降低（0~0.5V），肖特基二极管在很多装置中得到应用。从理论上说，肖特基二极管具有零反向恢复时间。但是，它具有相当大的寄生体电容，在一定程度上会产生类似的反射恢复现象。同时，它有很大的漏电流而且最大反向电压不超过100V 。
这些年来，功率变换的实际电路拓扑一直没有明显改变，仍然是三个基本拓扑：buck电路、boost电路和buck-boost电路。当然，也有显著改进之处，如ZVS（零电压开关）、电流馈电变换器以及CUK变换器和SEPIC（单端初级电感变换器）等复合拓扑，但所有这些改进相比于三种经典电路而言仅是冰山一角。功率变换的以上三种主要拓扑本身是非常基本的经典电路，它们的基础地位经受了时间的考验且至今没有动摇。
