虽然半导体开关器件各有优点。但它们都有损耗，并非我们设想的完美或理想器件。
例如，我们必须考虑它与机械开关的差别，半导体器件关断时仍有微小但可测量的漏电流。这种损耗称为漏损耗。该损耗通常不明显，可以忽略不计。然而，开关器件导通时会有虽小但不可忽略的正向导通压降，这将产生较大的导通损耗。此外，开关器件在导通和关断转换仍有短暂过渡时间，其间开关上的电压和电流同时向新的稳态值变化。这样，在转换时间或称交叉时间内，无法使V=0或I=0，所以V*I不为零，这将导致额外的开关损耗，称为交叉损耗（或有时就叫做开关损耗）。为了提高电源效率，我们需要研究如何减少所有这些损耗。
应注意须考虑电源设计中各方面因素的折中，从而获得可行的最优方案。例如，若要降低晶体管的正向导通压降以减小导通损耗，就可能造成开关转换速度变慢，从而增加开关损耗。还有一直需要考虑的最重要的问题是成本，特别是在商用电源领域。因此，不能低估一个出色的、有丰富经验的总工程师的领导作用，他可以在电源设计中把握最关键的细节。他们的角色显然不是智能自动测试系统或理想化的“专家设计软件”所能取代的。
