激光电源百科
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272019-08
倍流整流器技术
倍流整流器技术,倍流整流器由一个没有中心抽头的高频变压器次级绕组、两个电感量相等而且同绕在一个磁芯上的电感器、两个整流二极管和输出电容器组成。
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242019-08
恒功率整流器技术
恒功率整流器技术,恒功率整流器,其突出特点是在规定的交流输入电压和直流输出电压范围内均能给出额定功率。
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232019-08
无损吸收网络技术
无损吸收网络技术,无损吸收网络也称为谐振吸收网络。它能够把从输入或输出电路中吸收的能量进行再利用,或者传输给下一个周期。
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212019-08
并联均流技术--强迫均流法
并联均流技术--强迫均流法,所谓强迫均流,就是通过监控模块实现均流。实现方式主要有软件控制和硬件控制两种。软件控制通过软件计算,比较模块电流与系统平均电流,然后再调整模块电压,使其电流与平均电流相等。
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202019-08
最大电流自动均流(民主均流法或自动主/从控制)的并联均流技术
最大电流自动均流(民主均流法或自动主/从控制)的并联均流技术,参与调节的单元由n个单元中的最大输出电流单元决定,一次只有这个最大输出电流单元工作,这个最大输出电流单元是随机的
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192019-08
并联均流之平均电流型自动负载均流法(自动均流)
并联均流之平均电流型自动负载均流法(自动均流),这种均流方式采用一个窄带电流放大器,输出端通过阻值为R 的电阻连到均流母线上,n个单元采用n 个这种结构。
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172019-08
并联均流技术外部电路控制法
并联均流技术外部电路控制法的工作原理是:每一个单元加一个输出电流检测电路来检测它的电流,产生的反馈信号调节每个单元的电流,从而达到各单元间输出均流的目的。
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162019-08
并联均流技术主从控制法
并联均流技术主从控制法,该方法的主要特点如下:① 一旦主控单元出现故障,则整个系统崩溃;② 由于电压环工作频带宽,易受噪声干扰;
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152019-08
改变单元输出内阻法的工作原理
改变单元输出内阻法的工作原理,改变单元输出内阻法(斜率控制法、电压下垂法、输出特性斜率控制法)的实现方式有:Uo固定,改变斜率;斜率固定,改变输出电压。
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142019-08
电源并联扩流提高系统可靠性方法
电源并联扩流提高系统可靠性方法,在电源并联扩流过程中,为了提高系统工作稳定性,可采用N+m冗余的方法。其中m表示冗余份数,m值越大,系统工作可靠性越高,系统成本也相应增加。
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132019-08
开关电源并联均流技术
开关电源并联均流技术,在实际应用中,一台直流稳定电源的输出参数往往不能满足要求,而满足这种参数要求的直流稳定电源存在重新开发、设计、生产的过程,势必加大成本。
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122019-08
峰值电流模式控制PWM
峰值电流模式控制PWM,峰值电流模式控制(Peak Current-mode Control)简称电流模式控制。它的概念源于20世纪60年代后期具有原边电流保护功能的单端自激式反激开关电源
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102019-08
电压模式控制PWM
电压模式控制PWM,电压模式控制 PWM 是20世纪60年代后期开关稳压电源刚刚开始发展时所采用的第一种控制方法。该方法与一些必要的过电流保护电路相结合,至今仍然在工业界广泛应用。
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092019-08
PWM反馈控制模式
PWM反馈控制模式,PWM 的开关频率一般为恒定值,控制取样信号有输出电压、输入电压、输出电流 、输出电感电压及开关器件峰值电流。
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082019-08
电流互感器的下垂效应
电流互感器的下垂效应,电流互感器副边的脉冲电流要减去电流互感器绕组上的脉冲电压,在副边产生的一个从零开始随时间线性增长的磁化电流,才等于检测电阻上的电流。
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072019-08
防止电流检测电路饱和的方法
防止电流检测电路饱和的方法,电流互感器饱和是一个很严重的问题。不能正确测量电流值,就不能进行有效的电流控制;使电流误差放大器总是“认为”电流值小于设定值,这将导致电流波形失真。
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062019-08
开关电源电流检测电路的实现
开关电源电流检测电路的实现,在电流环的控制电路中,电流放大器通常选择较大的增益,其好处是可以选择一个较小的电阻来获得足够的检测电压,而检测电阻小,损耗也小。
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052019-08
开关电源热敏电阻
开关电源热敏电阻,现介绍一下用于此方面的PTC(正温度系数)热敏电阻和NTC(负温度系数)热敏电阻。
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032019-08
开关电源电容
开关电源电容,电容是决定电源寿命的重要元件之一。所以近年来其寿命及耐热特性得到很大关注。为适应电子设备的日益小型/薄型化,也采用SMD技术。
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022019-08
变压器及扼流圈的技术动向
变压器及扼流圈的技术动向,近年来,由于采用计算机进行材料的技术分析,可以选出满足产品规格的变压器磁芯材料,并通过仿真确定磁芯的最佳形状。
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012019-08
IGBT研发新进展
IGBT研发新进展,各家半导体生产厂商不断开发IGBT的耐高压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性和低成本技术,主要采用1μm以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
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312019-07
IGBT技术发展趋势
IGBT技术发展趋势,在开发IGBT的技术中,随着产品的更新换代,制造技术不断提高,精细加工也成为可能。现在,功率器件主要采用1μm以下的加工尺寸。
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302019-07
IGBT技术的研制
IGBT技术的研制,在IGBT 的研制中,要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。其研究的技术领域有以下几个方面。
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292019-07
功率集成电路的技术发展
功率集成电路的技术发展,功率集成电路(PIC)是指将高压功率器件与信号处理系统及外围接口电路、保护电路、检测诊断电路等集成在同一芯片的集成电路。
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272019-07
半导体功率开关器件的技术发展
半导体功率开关器件的技术发展,在半导体功率开关器件中,晶闸管(Thyristor,也可称为可控硅SCR)是目前具有最高耐压容量与最大电流容量的器件。