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半导体激光器基本原理

半导体激光器(Semiconductor Laser)是一种小型化激光器,使用半导体材料作为其工作物质,结构如图 2-1 所示。所用的半导体材料主要是几种典型的化合物,如:砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)等类似的物质。根据激励方式的不同,可分为不同的类型,光泵式、电注入式等[29]。目前市场上的半导体激光器以电注入式的居多。
 
电注入式半导体激光器[30]具有许多优点,比如:便于调制输出、容易实现受激辐射、结构小巧且紧凑、应用灵活且方便、制作流程简单、技术成熟等。半导体激光器最主要的功能部件是激光二极管,也称其为半导体激光二极管(Laser Diode),简称 LD。本身物质材料具有特异性,内部的电子按照一定的规律运动,所以半导体激光器工作具有特殊性。电子是在各个能带之间进行跃迁,不是在分立的能级之间跃迁,跃迁能量也不是确定值。半导体激光器可以在较宽范围内输出波长(大致为波长 0.33μm 的紫外线至波长为 34μm 的红外线)。输出的激光可以有三种形式,连续(CW)、准连续(QCW)、脉冲(Pulse)。
 
半导体激光器(LD)的正常工作需要几个必须的条件。光学谐振腔、粒子数反转,一定的阈值增益条件。
 
1、实现粒子数反转可以有不同的方法,比如:光激励、电流激励、化学激励等。其中,电流激励是一种简单、高效而且易于实现全固态封装的方式,所以通常被广泛采用。
 
2、需要形成一定激光振荡才能实现激光输出,即为受激辐射多次反馈得到相干受激辐射,半导体激光器谐振腔的形成就是利用与其工作介质垂直的反射镜。基于能带理论,电子发生跃迁而使得光子发射,可以在谐振腔中振荡而产生激光。
 
3、稳定振荡的形成,需要提供足够大增益的激光媒介来补偿激光在谐振腔中振荡和输出过程中产生的损耗,也即给正向偏执的 PN 结提供充分的载流子注入,使得电子与空穴处于反转状态的粒子数比较多,从而得到足够大的增益。其中关键的一个条件就是电流阈值。驱动电流保持在阈值之下时,半导体激光器和普通发光二极管一样发出光,而当电流超过这个值的时候,就会使得相应波长的激光在谐振腔内多次反馈放大,最终实现稳定连续的输出激光。
 
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